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CX75GD015E:威澳门尼斯人官网欢迎您65W合封氮化镓快充参考设计
January 01, 2024

  这是一款65W氮化镓(1A1C) PD快充电源方案,该方案采用CX75GD015E+CX7539F ,通过方案的设计和 PCB板布线实现了更好的电源性能。该款65W集成GaN PD快充方案具有小体积低温升、高效率、支持多协议快充等优势,适用于充电器、电源适配器、笔记本电脑、扩展坞等数码产品中。


  65W合封氮化镓快充方案特性:

1、输入电压范围90VAC~264VAC

2、输入待机功耗低于75mW @230VAC

3、输出C口(5VDC/3A、9VDC/3A、12VDC/3A、15VDC/3A、20VDC/3.25A)

4、输出总功率为65W

5、输出C口纹波134mV

6、具有输出过流保护、短路保护、过温保护等功能

7、符合“DOE&COC”6级能效标准

8、通过EN55022 ClassB的EMI测试标准

9、通过EFT、Surge 4KV测试标准        

  


   USB-A口支持FCP、SCP、AFC、QC3+、DCP、Apple2.4A充电协议。

 USB-C口支持FCP、SCP、AFC、QC3+/5、PD3.0、PPS、DCP充电协议。USB-C口还具备5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A五组固定电压档位,以及3.3-11VF3A、3.3-16V3A两组PPS电压档位。


  整个电源方案是由CX75GD015E和同步整流器CX7539F构成,高功率密度设计、高集成、环路稳定性更佳、且能够大大降低整体成本。该款快充方案支持90~264V宽输入电压,输出支持5V/3A,9V/3A,12V/3A,15V/3A,20V/3.25A。该款65W合封氮化镓快充参考设计采用两块小板,输出小板上焊接了协议芯片,简化电路设计并提高空间利用率。


  CX75GD015E是一款集成高压GaNFET功率器件高频高性能准谐振式交直流转换功率开关,应用于65W内高性能、低待机功率、低成本、高效率的隔离型反激式开关电源。


  CX75GD015E集成了完备的保护功能,包括:Vcc欠压保护(UVLO),Vcc过压保护(Vcc_OVP),输入欠压保护(Brown in),输入过压保护(Brown out),输出过压保护(VO_OVP),FB开短路保护以及副边SR短路保护,CS开短路保护等。该方案采用了“多协议”设计,可兼容多个 PD协议,并支持5V、9V、12V、15V、20V电压档位输出,可满足多种3C数码产品的充电需求。


  CX7539F是一颗高性能的开关电源次级侧同步整流控制电路。在低压大电流开关电源应用中,轻松满足6级能效,是理想的超低导通压降整流器件的解决方案。芯片可支持高达150kHz的开关频率应用,并且支持CCM/QR/DCM等开关电源工作模式应用,其极低导通压降产生的损耗远小于肖特基二极管的导通损耗,极大提高了系统的转换效率,大幅降低了整流器件的温度。


  CX7539F是一款内置高压 NMOSFET同步整流开关,且具有极低的内阻,可提供系统高达5A以内的应用输出;IC 通过检测集成 MOSFET 的源漏电压来决定其开关状态,能够兼容连续模式、非连续和准谐振工作模式的反激转换器。 


  CX75GD015E合封芯片能够显著降低器件数量,简化充电器的设计。器件数量的减少可以降低充电器的量产成本并加快生产速度,从而加速抢占市场。得益于高集成合封氮化镓的应用,这款65W快充设计电路非常精简,不仅具有精简的电路,效率提升,还具有非常高的功率密度。威澳门尼斯人官网欢迎您目前已推出多款完整的氮化镓快充解决方案,涵盖25W、35W、45W、65W等多功率段。一颗合封氮化镓芯片可轻松取代初级侧两到三颗芯片的功能,通过高集成度的合封芯片,设计出精简高效的氮化镓充电器,能够有效地简化充电器设计和生产流程,从而助力行业客户快速抢占市场。

(更多合封GaNPD快充方案、线路图纸、变压器设计、测试数据及应用要点等资料请联系官方平台获取)



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